Цитата:
Сообщение от Чёрный Дембель
Это ты про 70-80-е годы? Все вопросы к тогдашним руководителям. Едва-едва отыгрывать начинаем.
|
Может вам на партсобраниях не всё рассказывают, открою тайну:
В 1965 г. ГКЭТ был преобразован в Министерство электронной промышленности СССР. Началась широкая разработка и массовый выпуск ИЭТ в интересах обороны страны и народного хозяйства. В 1965 г. была разработана «Генеральная схема развития и размещения электронной промышленности СССР на период до 1980 г.». В этом плане были определены технические, экономические и региональные принципы развития отрасли, а также основные технико-экономические параметры производства. К середине 1970-х гг. в СССР была создана крупнейшая микроэлектронная отрасль.
В СССР первый планарный транзистор был разработан в 1963 г. в НИИ "Пульсар". Он стал основным активным элементом гибридных ИС. Освоение технологии и выпуск первых планарных транзисторов состоялся в 1965-1966 гг. Первые отечественные ИС были созданы в 1965-1966 гг., а первая микросхема на МОП транзисторах была разработана в конце 1960-х гг. в ЦКБ Воронежского завода полупроводниковых приборов. В дальнейшем на базе МОП технологии было создано целое поколение отечественных БИС и СБИС.
Оптоэлектронные приборы также были освоены в нашей стране практически без отставания от США. Лазеры и светодиоды разрабатывались и выпускались в НИИ «Сапфир», НИИ «Зенит», НИИ «Полюс». Советские ученые и инженеры внесли значительный вклад в развитие фоточувствительных СБИС на приборах с зарядовой связью. Первые ПЗС были созданы в НИИ "Пульсар" в 1973 г., через четыре года после их изобретения.
Начиная с 1975 г. в СССР разрабатывались межотраслевые целевые программы по выпуску интегральных схем. Переход к сверхбольшим интегральным схемам потребовал серьезных технологических и организационных изменений. В области цифровых СБИС эти проблемы решались в НИИ Молекулярной электроники, НИИ Точной технологии, НИИ Микроприборов и др. В области фоточувствительных интегральных схем НПО «Электрон» и НИИ «Пульсар
Первые публикации о разработке отечественных стеклянных волоконных световодов для передачи информации появились в 1975 г. Эти работы проводились под руководством Е. Дианова в ФИАН и в Институте химии АН СССР (ИХ) под руководством Г. Девятых. В конце 1970-х гг. в МЭП были разработаны все требуемые для ВОЛС элементы: полупроводниковые излучающие диоды, суперлюминесцентные и лазерные диоды, цифровые передающие модули. Работы по созданию оптического волокна проводили институты АН СССР и Государственном оптическом институте им. С. Вавилова (ГОИ). В 1981 г. в ГОИ было создано оптическое волокно со структурой "кварц-полимер", которое обладало хорошими характеристиками. Уже в начале 1980-х гг. были разработаны ВОЛС различного назначения, в частности, бортовые ВОЛС для самолетов и наземных подвижных объектов.