Замена транзистора HUF76107D3S,нужна помощь.

[STRONG]

Здравствуйте господа радиогубители.)
Решил я собрать себе вот такую зарядку для смартфона.
Возникла проблема с полевиком,на плате нарисован мосфет:HUF76107D3S.
Но загвоздка в том что облазив все магазины в городе,о таком даже не слышали.Так же как и о мосфете который на схеме:MMFT3055EL.
А так же нет ничего из рекомендованых в даташите на MAX608.Но там же на 10 странице,есть рекомендации по подбору транзистора.Но я к сожалению в буржуйском не силён,и в тонкостях характеристик мосфетов тоже.
Так что прошу вашей помощи!
С рабочими токами и напряжениями в принципе всё понятно.Не понятно например вот это
:Use logic-level or low-threshold N-FETs
Ну и конечно самое главное что-бы реально было купить например в том-же радиане или орбите.


Power Transistor Selection
Use an N-channel MOSFET power transistor with the
MAX608.
Use logic-level or low-threshold N-FETs to ensure the
external N-channel MOSFET (N-FET) is turned on completely
and that start-up occurs. N-FETs provide the
highest efficiency because they do not draw any DC
gate-drive current.
When selecting an N-FET, some important parameters
to consider are the total gate charge (Qg), on-resistance
(rDS(ON)), reverse transfer capacitance (CRSS),
maximum drain to source voltage (VDS max), maximum
gate to source voltage (VGS max), and minimum threshold
voltage (VTH min).
Qg takes into account all capacitances associated with
charging the gate. Use the typical Qg value for best
results; the maximum value is usually grossly overspecified
since it is a guaranteed limit and not the measured
value. The typical total gate charge should be
50nC or less. With larger numbers, the EXT pins may
not be able to adequately drive the gate. The EXT
rise/fall time varies with different capacitive loads as
shown in the Typical Operating Characteristics.
The two most significant losses contributing to the
N-FET’s power dissipation are I2R losses and switching
losses. Select a transistor with low rDS(ON) and low
CRSS to minimize these losses.
Determine the maximum required gate-drive current
from the Qg specification in the N-FET data sheet.
Select an N-FET with a BVDSS > VOUT, BVGSS > VOUT,
and a minimum VTH of 0.5V below the minimum input
voltage.
When using a power supply that decays with time
(such as a battery), the N-FET transistor will operate in
its linear region when the voltage at EXT approaches
the threshold voltage of the FET, dissipating excessive
power. Prolonged operation in this mode may damage
the FET. To avoid this condition, make sure VEXT is
above the VTH of the FET, or use a voltage detector
(such as the MAX8211) to put the IC in shutdown mode
once the input supply voltage falls below a predetermined
minimum value. Excessive loads with low input
voltages can also cause this condition.
The MAX608’s maximum allowed switching frequency
during normal operation is 300kHz. However, at startup,
the maximum frequency can be 500kHz, so the
maximum current required to charge the N-FET’s gate
is f(max) x Qg(typ). Use the typical Qg number from the
transistor data sheet. For example, the MMFT3055EL
has a Qg(typ) of 7nC (at VGS = 5V), therefore the current
required to charge the gate is:
IGATE (max) = (500kHz) (7nC) = 3.5mA.
Figure 2a’s application circuit uses a 4-pin MMFT3055EL
surface-mount N-FET that has 150m***189; on-resistance with
4.5V VGS, and a guaranteed VTH of less than 2V. Figure
2c’s application circuit uses an Si6426DQ logic-level NFET
with a threshold voltage (VTH) of 1V.
_____________________________

Может и дросселёк кто продаст: SDR 1006-100ML
ну или какой аналогичный,или подскажет где достать.)_________________________________________ ________________

[вредный микроб]

Это транзистор, управляемый логическим уровнем. Т.е. он имеет минимальное сопротивление канала при небольшом напряжении затвор-исток. Купи горелую материнку, там этих транзисторов больше десятка.
http://bvf.ru/forum/showthread.php?t=619887

[STRONG]

Есть старая видяха.Там стоят два транзистора(на фото видно),маркировка 09N05.Яндекс сказал что это н-мосфет,уже хорошо.По даташиту глянул :http://www.allcomponents.ru/html/infineon/spd09n05.html
Напряжение 55 вольт,ток 9,2 ампера.Подскажите по остальным параметрам подойдёт?

[STRONG]

Покурив интернет,понял что в моём случае важный параметр:Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage - пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
Так-как планируется питать преобразователь от литиевого аккума 3.3-4.2 Вольта.Значит и параметр Vgs(th) должен быть не более 3 Вольта.
В даташите на транзистор(09N05) с видяхи,этот параметр минимум 2.1в;типичное 3в;максимальное 4в.То есть как-бы и подходит,но при разрядке аккума может и перестать работать из-за разброса параметра Vgs(th).
Правильно мыслю,или как?

[вредный микроб]

Думаю подойдёт. И потом, литиевый акк. с напряжением ниже 3х вольт - кандидат на помойку. Тем более, что диод Шоттки не даст просесть напряжению на батарейке ниже 3 - 4 вольт.

[STRONG]

4,2в это для свежезаряженного акума,а 3,3 это разряженный акум,его нужно доставать и ставить на заряд.

Сообщение от вредный микроб

Тем более, что диод Шоттки не даст просесть напряжению на батарейке ниже 3 - 4 вольт.

Не понял? Если не трудно можете обьяснить физику процесса.

[вредный микроб]

Сообщение от STRONG

4,2в это для свежезаряженного акума,а 3,3 это разряженный акум,его нужно доставать и ставить на заряд.



Не понял? Если не трудно можете обьяснить физику процесса.

Если предположить, что преобразователь не работает, то ток будет течь от плюса источника через L1, D1 через батарейку на массу. Когда преобразователь работает, он повышает напругу на батарейке до пяти вольт.